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详细介绍
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制造工艺：
二次光刻光敏区工艺。采用此技术，在次光刻
后去掉胶层，进行氧化层的生长，约为500 a左右
件下（0.32μm） 有大的分辩率。此时光电流大
，分辩率高。注入条件为：磷注入， 能量为
；然后进行次光刻，透过二氧化硅层进行光敏
区bf2 的离子注入。这有两个方面处，一是可有
光敏区内外电阻率比控工艺。影响高分辩率的因素
有结深、边界条件及有效光敏区内外电阻率之比等
效地保护光敏区的表面，保护二氧化硅和硅的界面
；二是利用其屏蔽作用制得满足器件要求的结深。
。对于同一种器件结构，光敏区在一个结深条
60kev , 剂量为4e15;硼注入， 能量60kev , 剂量为
1e13;光敏注入，能量为40kev ,剂量为4e13。
类型介绍：
它是利用检测平衡状态下浮子浮力的变化来进行位
置测量的。此外，它还可以配备微机，使其具有自
的衰减愈小，但是反射效率也小，所以需要根据距
离、物体表面状况等因素来选择声波传感器类型
检、自诊断和远传的功能，它的是测量位置的
通过向被测物体表面发射声波，被其反射后，传
感器接受，通过时间和声速来计算其到物体表面的
范围宽、精度高。它是一种非接触式位置的产物，
对于一些不宜接触测量的场合是的选择。它是
距离。声波有一个特性它的频率愈低，随着距离
。高性能产物能分别出哪些是信号波，哪些是噪声
，而且还可以在高温和大风的情况下检测液位。
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